氧化物定義:
廣義上的氧化物(oxide)是指氧元素與另外一種化學元素組成的二元化合物。其構成中只含兩種元素,其中一種一定為氧元素,另一種若為金屬元素,則稱為金屬氧化物。常見金屬氧化物產品形態有顆粒、靶材、圓片等狀態,純度3N-5N不等,尺寸、規格可根據要求定做。
主要產品:
一、靶材
常規尺寸:φ50*3mm;φ75*4mm;φ101.6*5mm,
尺寸定做:
圓靶:直徑φ25.4mm-φ152.4mm,厚度3-6mm等,均可定做;
方靶:長、寬范圍20-400mm,厚度3-10mm等,均可定做
特殊服務:陶瓷靶材可綁定銅背靶,提高氧化物靶材導電導熱性,防止靶材碎裂
應用:磁控濺射鍍膜
二、顆粒/圓片顆粒
常規尺寸:1-3mm;3-6mm;φ18*8mm;φ25*10mm等
尺寸定做:可以定做不同規格要求的顆粒、圓片顆粒
應用:蒸發鍍膜
常見顆粒產品規格型號:
分子式 | 品名 | 顆粒規格 | 純度 | 熔點(℃) | 折射率 | 透明波段(um) | 應用 |
MgO | 氧化鎂 | 1-3mm | 4N | 2852 | 1.73 | 0.23-9 | 用作光學材料、電絕緣體材料、電極材料 |
Al2O3 | 氧化鋁 | 1-3mm | 4N | 2045 | 1.6-1.66 | 0.38-9 | 用作生產高檔耐火材料及電子元器件、電容器、激光材料、發光材料等 |
AZO | 氧化鋅鋁 | 1-3mm | 4N | \ | \ | \ | 用作制備導電膜 |
SiO | 一氧化硅 | 1-3mm | 3N5 | 1870 | 1.6 | 1.5-8 | 用作光學玻璃和半導體材料的制備,金屬反射鏡上作保護膜 |
SiO2 | 二氧化硅 | 1-3mm; | 4N | 1610 | 1.45 | 0.2-9 | 用作非晶硅太陽電池的薄膜光吸收層,半導體存儲器件中的電荷存儲層,薄膜晶體管(TFT )中的柵介質層、絕緣層 |
二氧化硅 | 1-3mm; | 5N | 1610 | 1.45 | 0.2-9 |
TiO | 一氧化鈦 | 1-3mm | 4N | 1700 | 2.2-2.3 | 0.4-12 | 用作電子材料,用于電子、冶金工業,充氧蒸發易操作,成膜致密;不充氧蒸發可得彩色膜,用于人工寶石制作。 |
TiO2 | 二氧化鈦 | 1-3mm | 4N | 1840 | 2.4 | 0.36-9 | 具有良好的介電常數和半導體性質,用作陶瓷電容器等電子元器件,適用于電子槍蒸發,膜層致密,牢固,抗化學腐蝕,灰色料比白色料易蒸發,但需充氧 |
Ti2O3 | 三氧化二鈦 | 1-3mm | 4N | 2130 | 2.2-2.3 | 0.4-12 | 不穩定,比一氧化鈦更加容易氧化,充氧蒸發易操作,成膜致密;不充氧蒸發可得彩色膜,用于人工寶石制作 |
Ti3O5 | 五氧化三鈦 | 1-3mm陶瓷 | 4N | 1750 | 2.1-2.4 | 0.4-12 | 真空鍍膜用材料,用于光學涂層,充氧蒸發易操作,成膜致密;不充氧蒸發可得彩色膜,用于人工寶石制作 |
1-3mm晶體 | 4N | 1750 | 2.2-2.3 | 0.4-12 |
Cr2O3 | 氧化鉻 | 1-3mm | 4N | 2435 | 2.551 | \ | 用于冶金,制作耐火材料、折光材料,著色玻璃等適于電子槍蒸發 |
MnO2 | 二氧化錳 | 1-3mm | 4N | 535 | \ | \ | 用于制造金屬錳、特種合金、和電子材料鐵氧體等不適合電子束蒸發 |
Fe2O3 | 氧化鐵 | 1-3mm | 3N5 | 1565 | 2.75-2.9 | \ | 適用于電子槍和熱蒸發及濺射 |
NiO | 氧化鎳 | 1-3mm | 3N5 | 1960 | 2-2.1 | 0.52 | 用于磁性材料、冶金和顯像管行業、電子元件材料、蓄電池材料 |
CuO | 氧化銅 | 1-3mm | 4N | 1326 | 2.63 | \ | 用于有色玻璃,陶瓷釉彩、催化、超導、陶瓷等領域,適用于電子槍和熱蒸發 |
ZnO | 氧化鋅 | 1-3mm | 4N | 1975 | 2 | 0.4-16 | 用作電子激光材料、磁性材料制造、特種功能涂料、光敏材料 |
Y2O3 | 氧化釔 | 1-3mm | 4N | 2680 | 1.8~1.9 | 0.23-9 | 用作熒光粉、磁性材料的添加材料,用于制造單晶、薄膜電容器和特種耐火材料,以及高壓水銀燈、激光、儲存元件等 |
ZrO2 | 二氧化鋯 | 1-3mm | 4N | 2700 | 1.95-2.05 | 0.25-9 | 用于航空航天、國防軍工、原子能、陶瓷燒結、金屬冶煉、高溫分解、半導體制造、石英熔融等領域,用于多層膜。 |
HfO2 | 二氧化鉿 | 1-3mm黑色 | 4N | 2812 | 2 | 0.2-9 | 半導體場效應管(MOSFET)柵極絕緣層,紫外波段的優良材料
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Nb2O5 | 五氧化二鈮 | 1-3mm | 4N | 1520 | 2.3 | 0.35-9 | 用作壓電導體材料,制備特種光學玻璃、高頻和低頻電容器等 |
Ta2O5 | 五氧化二鉭 | 1-3mm | 4N | 1872 | 2.3 | 0.35-9 | 用于制造高折射低色散特種光學玻璃,有毒 |
MoO3 | 氧化鉬 | 1-3mm | 4N | 795 | 1.9 | \ | 在機械零件中用作固體潤滑的底膜 |
WO3 | 氧化鎢 | 1-3mm | 4N | 1475 | 1.65-1.7 | 0.36-10 | 用于制硬質合金,粉末冶金、陶瓷器的著色劑等,鍍變色膜 |
SnO2 | 氧化錫 | 1-3mm | 4N | 1127 | 1.99 | \ | 電磁材料、半導體傳感器材料 |
ITO | 氧化銦錫 | 1-3mm | 4N | 287 | 2 | 0.34~9 | 制作液晶顯示器、平板顯示器、等離子顯示器、觸摸屏、電子紙、有機發光二極管、以及太陽能電池、和抗靜電鍍膜還有EMI屏蔽的透明傳導鍍膜,可配成不同比例材料90:10和95:5常規 |
1-3mm | 4N | 287 | 2 | 0.34~9 |
Bi2O3 | 氧化鉍 | 1-3mm | 4N | 825 | 2.5 | 0.4 | 用于制金屬鉍、催化劑及鉍系氧化物超導體,蒸氣有毒 |
La2O3 | 氧化鑭 | 1-3mm | 4N | 2250 | 1.73 | 0.35~2 | 用于制造精密光學玻璃、光導纖維 |
CeO2 | 氧化鈰 | 1-3mm | 4N | 2600 | 2.2 | 0.46-11 | 基底加溫250-300℃,與鎢反應。適于電子槍蒸發 |
Pr6O11 | 氧化鐠 | 1-3mm | 3N5 | 2125 | 1.83-1.9 | 0.4 | 用于玻璃、冶金 |
Nd2O3 | 氧化釹 | 1-3mm | 4N | 2272 | 1.8 | 0.4-2 | 用于磁性材料,制造金屬釹的原料和強磁性釹鐵硼的原料 |
Sm2O3 | 氧化釤 | 1-3mm | 4N | 2350 | 1.8 | 0.23 | 用于制取金屬釤、電子器體、磁性材料等 |
Eu2O3 | 氧化銪 | 1-3mm | 3N5 | 2291 | 1.8 | 0.23 | 微毒,用于磁泡貯存器件,核反應堆控制棒、屏蔽和結構材料 |
Gd2O3 | 氧化釓 | 1-3mm | 3N5 | 2310 | 1.7-1.8 | 0.22-9 | 用于各種熒光粉,原子反應堆中的中子吸收材料,增感屏材料 |
Tb4O7 | 氧化鋱 | 1-3mm | 3N5 | 2340 | \ | \ | 磁光記憶材料 |
Dy2O3 | 氧化鏑 | 1-3mm | 3N5 | 2330 | \ | \ | 磁光記憶材料 |
Ho2O3 | 氧化鈥 | 1-3mm | 3N5 | 2367 | \ | \ | 用作磁性材料及新型電光源 |
Er2O3 | 氧化鉺 | 1-3mm | 4N | 2400 | \ | \ | 用作磁性材料 |
Tm2O3 | 氧化銩 | 1-3mm | 3N5 | 2425 | \ | \ | 用作反應堆中的控制材料 |
Yb2O3 | 氧化鐿 | 1-3mm | 4N | 2346 | \ | \ | 用于制造特殊合金、介電陶瓷和特殊玻璃 |
Lu2O3 | 氧化镥 | 1-3mm | 4N | 2487 | \ | \ | 用于制造光學玻璃、電子元件、磁性材料、特殊合金 |
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